洁净级别:百级、千级、10万级
建筑面积:8300平方米
项目地址:深圳
无尘车间规划选用材料及特征
1、无尘车间是采纳哪些方法可以减少产尘量了?
a、选用的原料:棉质产尘量最大,以下依次为棉、的确良、去静电纯涤纶、尼龙。
b、样式:大挂式发尘量最大,上下分装型次之,全罩型最少;
c、车间内的活动:动作时的产尘量一般是停止时刻3-7倍;
d、清洁:用溶剂洗刷的产尘量降至用一般水清洁的五分之一。
2、保湿性能好,强度高,隔热保温,芯材导热系数: λ<=0.041w/mk。强度高:可作天花围护规划板材承重,抗弯抗压,一般洁净室比照少用梁柱。
3、施工便当,重量轻:10-14千克/平方米,相当于砖墙的1/30 ,净化厂房隔墙、顶板一般多选用50mm厚的夹板;并且彩钢板设备灵敏便当:施工周期短,车间可以依据出产需要进行调整,运用彩钢板墙体,车间改造施工愈加便当。
4、送风过滤设备:高效送风口选用不锈钢结构,漂亮清洁,冲孔网板用烤漆铝板,不生锈不粘尘,易清洁; 送回风管道用热渡锌板制成,贴净化保温棉;
5、高效过滤器设备前,有必要对洁净室进行悉数清扫、擦净,净化空调系统内部如有积尘,应再次清扫、擦净,到达清洁需要。如在技术夹层或吊顶内设备高效过滤器,则技术层或吊顶内也应进行悉数清扫、擦净。
DRAM芯片洁净车间简要
DRAM(动态随机存储器)在日常生活中还有一个亲切称呼叫内存条,利用电容储存电荷多少来存储数据,需要定时刷新电路克服电容漏电问题,读写速 度比SRAM慢,常用于容量大的主存储器,如计算机、智能手机、服务器内存等。
DRAM从2D架构转向3D架构是未来的主要趋势之一。3D DRAM是将存储单元(Cell)堆叠至逻辑单元 上方以实现在单位晶圆面积上产出上更多的产量,这里主要通过改变电容设计实现,从平面电容到深槽电容再到堆叠电容,相较于普通的平面DRAM,3D DRAM可以有效降低 DRAM的单位成本。
其他发展路径:采用铁电材料的设计电容(ferro capacitor)以延长DRAM位元格储存电荷的时间延长。 具有改善DRAM的资料保存时间(retention time),减小刷新的负担、快速开启或关闭低功耗模式、实 现更低的备用功耗,以及进一步推动DRAM的规模化等优点。使用低漏电流沉积的薄膜晶体管(thin-film transistor),例如氧化铟镓锌,来取代DRAM位元格内的硅基晶体管,以大幅降低储存单元的面积。
详细设计要点请联系合洁科技半导体车间建设工程师
洁净车间工程示例如下: